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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16b.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZGivnK2Y/NnN2T
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m17@80/2006/12.06.13.14   (acesso restrito)
Última Atualização2006:12.06.13.14.22 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m17@80/2006/12.06.13.14.23
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.03.44.17 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-14415-PRE/9499
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoPerssonWillAndrSilv:2006:ElBaSt
TítuloElectronic band-edge structure, effective masses, and optical absorption of Si1-xGex using an extended FPLAPW/VCA/LDA+U computational method
Ano2006
Mêsjun.
Data de Acesso29 abr. 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho155 KiB
2. Contextualização
Autor1 Persson, Clas
2 Willander, Magnus
3 Andrada e Silva, Erasmo Assumpção de
4 Silva, Antônio Ferreira da
Grupo1
2
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 IApplied Materials Physics, Department of Materials Science and Engineering, Royal Institute of Technology
2 Department of Physics, Chalmers University of Technology
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume36
Número2
Páginas447-450
Histórico (UTC)2006-12-06 13:14:24 :: simone -> administrator ::
2008-06-29 02:29:33 :: administrator -> simone ::
2011-05-20 20:18:04 :: simone -> administrator ::
2012-11-24 01:39:32 :: administrator -> simone :: 2006
2013-02-20 15:19:54 :: simone -> administrator :: 2006
2018-06-05 03:44:17 :: administrator -> marciana :: 2006
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveFPLAPW/VCA/LDA+U
Optical properties
Si1-xGex
ResumoElectronic band-edge structure and optical properties of Si1-xGex are investigated theoretically emloying a full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. The exchange-correlation potential in the local density approximation (LDA) is corrected by an on-site Coulomb potential (i.e., within the LDA+USIC approach) acting asymmetrically on the atomic-like orbitals in the muffin-tin spheres. The electronic structure of the Si1-xGex is calculated self-consistently, assuming a Td symmetrized Hamiltonian and a linear behavior of the valence-band eigenfunctions for Si, SiGe, and Ge with respect to Ge composition x, assuming randomly alloyed crystal structure. i.e., a "virtual-crystal like" approximation (VCA). We show that this approach yields accurate band-gap energies, effective masses, dielectric function, and optical properties of Si1-xGex. We perform absorption measurements showing the band-gap energy for x < 0.25.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Electronic band-edge structure,...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoElectronic band edge.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
simone
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirolcp.inpe.br/ignes/2004/02.12.18.39
cptec.inpe.br/walmeida/2003/04.25.17.12
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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