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1. Identificação Tipo de Referência Tese ou Dissertação (Thesis) Site mtc-m16b.sid.inpe.br Código do Detentor isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S Identificador 6qtX3pFwXQZ3P8SECKy/DFfAV Repositório sid.inpe.br/jeferson/2004/10.05.14.56   (acesso restrito) Última Atualização 2006:06.14.04.12.04 (UTC) sergio Repositório de Metadados sid.inpe.br/jeferson/2004/10.05.14.56.55 Última Atualização dos Metadados 2024:12.26.14.49.40 (UTC) administrator Chave Secundária INPE-12180-TDI/974 Chave de Citação Barros:2004:CaElJu Título Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho Título Alternativo Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors. Curso CMC-SPG-INPE-MCT-BR Ano 2004 Data Secundária 20040902 Data 2004-09-02 Data de Acesso 02 jun. 2025 Tipo da Tese Dissertação (Mestrado em Mecânica Espacial e Controle) Tipo Secundário TDI Número de Páginas 105 Número de Arquivos 217 Tamanho 9129 KiB 2. Contextualização Autor Barros, André Santiago Grupo CMC-SPG-INPE-MCT-BR Banca Motisuke, Paulo (presidente) Abramof, Eduardo (orientador) Ferreira, Sukarno Olavo Veissid, Nelson Damião, Álvaro José Universidade Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) Cidade São José dos Campos Histórico (UTC) 2005-03-15 12:51:57 :: jefferson -> jeferson :: 2005-03-15 13:43:46 :: jeferson -> jefferson :: 2005-07-05 17:18:19 :: jefferson -> jeferson :: 2005-09-28 17:30:32 :: jeferson -> administrator :: 2006-09-27 21:16:16 :: administrator -> jefferson :: 2007-07-18 19:41:22 :: jefferson -> administrator :: 2009-07-07 20:05:09 :: administrator -> jefferson :: 2009-07-09 15:30:58 :: jefferson -> administrator :: 2018-06-05 03:52:24 :: administrator -> marciana :: 2004 2019-06-10 18:11:41 :: marciana -> sergio :: 2004 2019-08-19 14:39:03 :: sergio -> administrator :: 2004 2024-12-26 14:49:40 :: administrator -> sergio :: 2004 3. Conteúdo e estrutura É a matriz ou uma cópia? é a matriz Estágio do Conteúdo concluido Transferível 1 Palavras-Chave ENGENHARIA E TECNOLOGIA ESPACIAL Teturetos de chumbo Epitaxia de feixe molecular Detectores de infravermelho Características da capacitância por tensão ENGINEERING AND SPACE TECHNOLOGY Lead tellurides Molecular beam epitaxy Infrared detectors Capacitance voltage characteristics Resumo Este trabalho visa à caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores fotovoltaicos na faixa do infravermelho médio. Para isto, uma série de junções p-n foi crescida com sucesso por epitaxia de feixe molecular sobre substratos de fluoreto de bário. Nesta série, a concentração de buracos p ficou mantida fixa em 1017 cm-3 e a concentração de elétrons n variou entre 1017 e 1019 cm-3. Um sistema para medidas de corrente por tensão (IxV) e capacitância por tensão (CxV) foi implementado para este estudo com programas de controle desenvolvidos na plataforma Visual Basic. Aproveitando a experiência adquirida, um código fonte em Visual Basic foi também desenvolvido para controlar o sistema de epitaxia de feixe molecular. Diodos na forma de estrutura mesa foram fabricados por técnicas de litografia e montados em um criostato de nitrogênio líquido para a caracterização elétrica e determinação das figuras de mérito (detectividade e reposta espectral). Os resultados obtidos da característica CxV mostraram que para concentração de elétrons n > 1018 cm-3, junções abruptas de um único lado foram formadas. Neste caso, a concentração de buracos p e a largura da região depleção puderam ser determinadas. As características IxV apresentaram formas diferenciadas tanto para o ramo de corrente reversa como o de direta, mesmo para diodos feitos de uma mesma junção. A resistência diferencial incremental, as resistências em série e em paralelo, e o fator de idealidade dos diodos foram obtidos usando a derivada da curva IxV e um programa de simulação desenvolvido para ajustar a curva calculada pela equação de um diodo real aos pontos experimentais. As flutuações observadas tanto para os parâmetros obtidos da característica IxV quanto para os valores de detectividade D* foram atribuídos a problemas durante o processamento dos fotodiodos. A despeito destas flutuações, os valores de ruído e detectividade medidos para os detectores de PbTe puderam ser correlacionados com os parâmetros obtidos da análise da característica IxV. Estes resultados permitem uma previsão das figuras de mérito do detector de PbTe a partir dos dados da curva IxV. Destaca-se, ainda, que os melhores fotodiodos de PbTe fabricados durante este trabalho apresentaram valores de D* na ordem de 1011 cmHz1/2W-1 comparáveis aos de InSb e HgCdTe comerciais e aos de PbTe fabricados sobre silício. ABSTRACT: This work reports on the electrical characterization of PbTe p-n junctions for application in photovoltaic detectors in the medium infrared range. For this purpose, a series of p-n junctions, where the hole concentration p was kept at 1017 cm-3 and the electron concentration n varied between 1017 and 1019 cm-3, was successfully grown by molecular beam epitaxy on barium fluoride substrates. A system to measure current versus voltage (IxV) and capacitance versus voltage (CxV) characteristics was employed together with data acquisition and control programs developed in Visual Basic platform. Using this experience, a Visual Basic code to control the molecular beam epitaxial system was also developed. Mesa diodes were fabricated by lithography and mounted in a liquid nitrogen cryostat for the electrical characterization and the determination of figures of merit (detectivity and spectral response). The results obtained by the CxV characteristic showed that for electron concentration n > 1018 cm-3, one-sided abrupt junctions were formed. In this case, the hole concentration and the depletion width could be determined. The IxV characteristic exhibited different forms for both reverse and direct branches, even for diodes fabricated from the same junction. The incremental differential resistance, the series and parallel resistances, the ideality factor of the diodes were obtained by the derivative of the IxV curve and by a simulation program developed to adjust the curve calculated by the equation for a real diode to the experimental data. The fluctuations observed for both the parameters obtained from the IxV curve analysis and detectivity D* values were attributed to problems during the photodiode fabrication processes. Despite of these fluctuations, it was possible to correlate the noise and detectivity values measured for the PbTe detectors to the parameters obtained form the IxV characterization. These results allow the prediction of the detector?s figures of merit from the data obtained from the IxV curves. It is also important to emphasize that the best PbTe photodiodes fabricated during this work showed D* values close to 1011 cmHz1/2W-1, comparable to InSb and HgCdTe commercial detectors and to PbTe photodiodes fabricated on silicon substrates. Área ETES Arranjo 1 urlib.net > Fonds > Teses e Dissertações... > Caracterização elétrica de... Arranjo 2 urlib.net > CMC > Teses e Dissertações... > Caracterização elétrica de... Arranjo 3 urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção a partir de 2021 > CGCE > Teses e Dissertações... > Caracterização elétrica de... Arranjo 4 urlib.net > CMC > Caracterização elétrica de... Conteúdo da Pasta doc acessar Conteúdo da Pasta source não têm arquivos Conteúdo da Pasta agreement não têm arquivos 4. Condições de acesso e uso Idioma pt Arquivo Alvo paginadeacesso.html Grupo de Usuários administrator jefferson sergio Grupo de Leitores administrator sergio Visibilidade shown Detentor dos Direitos originalauthor yes locatedauthor no Detentor da Cópia SID/SCD Permissão de Leitura deny from all Permissão de Atualização não transferida 5. Fontes relacionadas Unidades Imediatamente Superiores 8JMKD2USNNW34T/4CL6N3H 8JMKD3MGPCW/3F2UALS Lista de Itens Citando sid.inpe.br/bibdigital/2013/10.14.00.13 10 Divulgação NTRSNASA; BNDEPOSITOLEGAL. Acervo Hospedeiro lcp.inpe.br/ignes/2004/02.12.18.39 cptec.inpe.br/walmeida/2003/04.25.17.12 6. Notas Campos Vazios academicdepartment affiliation archivingpolicy archivist callnumber contenttype copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress resumeid schedulinginformation secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url versiontype 7. Controle da descrição e-Mail (login) sergio atualizar

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